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[其它類]請問先進半導體材料的運用研發? [復制鏈接]

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只看樓主倒序閱讀使用道具 0樓發表于: 2021-04-10

第三代半導體材料的碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)

是目前最具運用潛力的半導體材料,

據聞台灣某家半導體晶圓代工巨擘正在研發一種全新半導體材料,

是一種前所未有的半導體新材料,

有熟悉半導體材料領域的大大們可以釋疑嗎?謝謝回復

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只看該作者 1樓發表于: 2021-05-20

小弟是略懂，稍微提出一下看法
氮化鎵GaN是氮（N）與鎵（Ga）的化合物，用於半導體產業，為第三代半導體材料。
氮化鎵GaN有著相較於傳統矽（Si）元件更高的工�@頻率，矽元件的切換頻率極限約為65~95kHz，再高即會造成原件耗損與不必要的耗能。
但氮化鎵GaN製作的元件在高頻時仍有良好效能且穩定度高，高密度功率的特性可以使週邊元件的尺寸跟著縮小，與未來5G基地台密度高所需的特性相符。
氮化鎵GaN與碳化矽SiC同為第三代半導體材料，碳化矽SiC可以在元件上帶來：
厚度更薄、低能源耗損、耐超大電流、耐1200V以上的高電壓等諸多優質特性都讓碳化矽SiC與氮化鎵GaN並列講求效率的新世代半導體材料最佳選擇。
碳化矽SiC目前普遍用在Tesla（特斯拉）與Porsche（保時捷）等高階電動車的元件中，與氮化鎵GaN皆有應用在消費市場。
其實氮化鎵GaN的研究早已超過30年，但在近年才開始成為半導體未來之星的原因是早期受限於製程技術無法大量製造。

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只看該作者 2樓發表于: 2021-06-23

https://www.bnext.com.tw/article/56948/tsmc-nature-nctu-3nm-semiconductor-boron-nitride

氮化銅(BN)這篇文章應該是可以解答您的問題

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